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本公开涉及半导体技术领域，提出一种静电保护结构、静电保护电路、芯片，该静电保护结构包括半导体衬底、第一N型阱、第一P型阱、第一N型掺杂部、第一P型掺杂部、第二N型掺杂部、第二P型掺杂部。半导体衬底包括第一集成区；第一N型阱位于第一集成区；第...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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