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本发明提供一种能够提高散热特性的半导体装置。第二部件与包含由元素半导体系构成的半导体区域的第一部件的第一面面接触地接合。第二部件包含化合物半导体系的高频放大电路。导体突起从第二部件向第一部件侧的相反侧突出。第一部件在内部包含检测温度的测温元...
该专利属于株式会社村田制作所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社村田制作所授权不得商用。

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