半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够提高散热特性的半导体装置。第二部件与包含由元素半导体系构成的半导体区域的第一部件的第一面面接触地接合。第二部件包含化合物半导体系的高频放大电路。导体突起从第二部件向第一部件侧的相反侧突出。第一部件在内部包含检测温度的测温元件。出。第一部件在内部包含检测温度的测温元件。出。第一部件在内部包含检测温度的测温元件。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术涉及半导体装置。

技术介绍

[0002]在用于移动通信、卫星通信等的电子设备中组装有将高频信号的收发功能一体化的RF前端模块。RF前端模块具备：具有高频放大功能的单片微波集成电路(MMIC)元件、控制高频放大电路的控制IC、开关IC、双工器等。
[0003]下述的专利文献1中公开了在MMIC上堆叠控制IC而小型化的高频模块。专利文献1所公开的高频模块包括搭载于模块基板上的MMIC、和堆叠于MMIC上的控制IC。MMIC的电极、控制IC的电极以及模块基板上的电极通过引线接合而电连接。
[0004]专利文献1：美国专利申请公开第2015/0303971号说明书。
[0005]在高频放大电路中例如使用异质结双极晶体管(HBT)。HBT在动作中产生集电极损耗而发热。发热引起的HBT的温度上升作用于使集电极电流进一步增大的方向。若满足该正反馈的条件，则导致HBT热失控。为了避免HBT的热失控，限制HBT的输出功率的上限值。
[0006]为了实现高频放大电路的高输出化，优选提高来自包含HBT本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：第一部件，具有第一面，包含由元素半导体系构成的半导体区域；第二部件，面接触地接合于所述第一部件的所述第一面，并包含化合物半导体系的高频放大电路；以及导体突起，从所述第二部件向所述第一部件侧的相反侧突出，所述第一部件在内部包含检测温度的测温元件。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述测温元件配置在俯视观察时与所述第二部件重叠的位置。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述高频放大电路包含相互并联连接的多个晶体管，所述多个晶体管在俯视观察时在第一方向上排列而配置，所述测温元件在所述第一方向上，配置在第一范围内，在俯视观察时与所述第一方向正交的第二方向上，配置在第二范围内，所述第一范围是使从一端的晶体管到另一端的晶体管的范围向两侧延伸了两端的晶体管的每一个和与其相邻的晶体管的中心间的距离的范围，所述第二范围是配置有所述多个晶体管的范围。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一部件还包含温度检测电路，所述温度检测电路将所述测温元件的检测值转换为数字值并向外部输出。5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一部件还包含偏置控制电路，所述偏置控制电路基于所述测温元件的检测值，使供给到所述高频放大电路的晶体管的偏置电流变化。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述偏置控制电路随着由所述测温元件检测出的温度上升而进行使偏...

【专利技术属性】
技术研发人员：深泽美纪子，后藤聪，吉见俊二，竹松佑二，佐俣充则，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：