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本公开提供一种具有多个电容器着陆垫的半导体结构的制备方法。该制备方法包括下列步骤：提供一半导体基底；形成一位元线结构，其从该半导体基底突伸；沉积一着陆垫层以覆盖该位元线结构；平坦化该着陆垫层的一上表面；形成一沟槽在该着陆垫层中，以形成多个电...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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