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本发明公开一种针对总剂量效应损失的半导体辐照探测器，涉及辐照探测技术领域。半导体辐照探测器包括：半导体场效应管，以及设置在半导体场效应管顶部后端的电容模块；电容模块被配置为在进行预充电后，随着总剂量效应的不断累积，电容模块两端电压发生漂移，...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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