【技术实现步骤摘要】
一种针对总剂量效应损失的半导体辐照探测器
[0001]本专利技术涉及辐照探测
，尤其涉及一种针对总剂量效应损失的半导体辐照探测器。
技术介绍
[0002]辐照剂量探测设备是放射医疗领域和航天领域必不可少的设备之一，辐照探测器作为辐照剂量探测设备的传感元器件，其灵敏度、能探测的总剂量大小和尺寸将直接制约辐照剂量探测设备的性能和大小。
[0003]目前，辐照探测器可以分为电离室辐照探测器、光纤辐照探测器和半导体辐照探测器三种。其中，电离室辐照探测器又称离子室，由处于不同电位的电极和电极间介质组成，电离辐射在介质中产生电离离子对，在电场作用下离子分别向两极漂移，形成与辐射剂量成正比的电流。光纤辐照探测器利用闪烁体在受到辐射后会电离或激发产生光子的特性进行工作，其工作过程中将辐射粒子转化为光子，光子通过光电效应产生电子，电子的运行形成电流，通过电流的变化量推算出辐射剂量。但是，电离室存在工作需要高电压、设备尺寸较大的问题，导致设备使用无法微型化和集成化。光纤辐照探测器多用于对其他辐照探测器进行校准，但其可测总剂量较小，
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种针对总剂量效应损失的半导体辐照探测器，其特征在于，所述半导体辐照探测器包括：半导体场效应管，以及设置在所述半导体场效应管顶部后端的电容模块；所述电容模块被配置为在进行预充电后，随着总剂量效应的不断累积，所述电容模块两端电压发生漂移，施加在所述半导体场效应管的栅极电压基于所述电容模块两端电压的漂移而漂移，确定所述半导体场效应管的漏极电流变化量；所述半导体场效应管被配置为基于所述漏极电流变化量确定辐照剂量变化量。2.根据权利要求1所述的针对总剂量效应损失的半导体辐照探测器，其特征在于，所述电容模块包括至少一个电容。3.根据权利要求2所述的针对总剂量效应损失的半导体辐照探测器，其特征在于，所述电容模块包括多个质量不同，和/或电容值大小不同的电容，多个所述电容被配置为，结合所述半导体场效应管进行多个量程多个精度的辐照探测。4.根据权利要求1
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3任一所述的针对总剂量效应损失的半导体辐照探测器，其特征在于，所述电容的面积和厚度基于所述总剂量的大小所确定。5.根据权利要求1
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3任一所述的针对总剂量效应损失的半导体辐照...
【专利技术属性】
技术研发人员：王菡滨，毕津顺，卜建辉，赵发展，颜刚平，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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