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一种半导体存储器装置，包括：衬底，其包括存储器单元区和围绕存储器单元区的伪单元区，存储器单元区包括多个存储器单元；存储器单元区中的多个有源区，多个有源区中的每一个在长轴方向上延伸，长轴方向是相对于第一水平方向和与第一水平方向正交的第二水平方...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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