【技术实现步骤摘要】
半导体存储器装置
[0001]相关技术的交叉申请
[0002]本申请基于并要求于2020年12月15日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2020
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0175837的优先权，所述申请的公开内容通过引用其全部并入本文。
[0003]本专利技术涉及一种半导体存储器装置，并且更具体地，涉及一种具有存储器单元区和外围区的半导体存储器装置。
技术介绍
[0004]根据电子工业的快速发展及其用户的需求，电子装置的尺寸正在减小，例如，变得更加小型化和/或重量轻。因此，对于将在电子装置中使用的半导体存储器装置使用高集成度，使得用于半导体存储器装置的构造的设计规则被减少以实现精细结构化。
技术实现思路
[0005]本专利技术构思提供了能够确保可靠性的半导体存储器装置。
[0006]为了实现半导体存储器装置，本专利技术构思提供了以下半导体存储器装置。
[0007]根据本专利技术构思的一些示例实施例，提供了一种半导体存储器装置，包括：衬底，其包括存储器...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，包括：衬底，其包括存储器单元区和围绕所述存储器单元区的伪单元区，所述存储器单元区包括多个存储器单元；所述存储器单元区中的多个有源区，所述多个有源区中的每一个在长轴方向上延伸，所述长轴方向是相对于第一水平方向和与所述第一水平方向正交的第二水平方向的对角线方向，所述多个有源区中的每一个在与所述长轴方向正交的短轴方向上具有第一宽度；以及所述伪单元区中的多个伪有源区，所述多个伪有源区中的每一个在所述长轴方向上延伸，所述多个伪有源区中的每一个在所述短轴方向上具有大于所述第一宽度的第二宽度。2.如权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个伪有源区中的至少一个限定所述多个伪有源区中的所述至少一个的侧壁上多个侧壁凹陷。3.如权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述多个有源区在所述长轴方向上以第一间隔彼此间隔开并且各自在所述长轴方向上延伸第一长度。4.如权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述多个侧壁凹陷位于所述多个伪有源区中的所述至少一个的侧壁上，所述多个侧壁凹陷在所述长轴方向上彼此间隔开第二长度，并且所述多个侧壁凹陷在所述长轴方向上具有第一值的第二间隔。5.如权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第一长度和所述第一间隔的总和与所述第二长度和所述第二间隔的总和实质上相同。6.如权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述多个侧壁凹陷位于所述多个伪有源区的所有侧壁上。7.如权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述多个侧壁凹陷位于所述多个伪有源区中的与所述多个有源区相邻的部分的侧壁处，并且所述多个侧壁凹陷不位于不与所述多个有源区相邻的其它部分的侧壁处。8.如权利要求2所述的半导体存储器装置，还包括：器件隔离结构，其限定所述多个有源区和所述多个伪有源区，其中，所述器件隔离结构的位于所述多个有源区之中的在所述长轴方向上彼此相邻的两个有源区之间的部分和所述多个侧壁凹陷沿在所述第二水平方向上以等间隔布置的多条水平线共线。9.如权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个有源区在所述短轴方向上以第一间距重复，并且所述多个伪有源区在所述短轴方向上以大于所述第一间距的第二间距重复。10.如权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，所述第二宽度与所述第一宽度的比率大于所述第二间距与所述第一间距的比率。11.一种半导体存储器装置，包括：衬底，其包括存储器单元区、外围区和所述存储器单元区与所述外围区之间的伪单元区，所述存储器单元区包括多个存储器单元，所述伪单元区包括多个伪存储器单元；所述存储器单元区中的多个有源区，所述多个有源区中的每一个在长轴方向上延伸，所述长轴方向是相对于第一水平方向和与所述第一水平方向正交的第二水平方向的对角
线方向，所述多个有源区中的每一个具有在短轴方向上的第一宽度和在所述短轴方向上的第一间距，所述短轴方向与所述长轴方向正交；所述外围区中的至少一个逻辑有源区；以及所述伪单元区中的多个伪有源区，所述多个伪有源区中的每一个在所述长轴方向上延伸，所述多个伪有源区中的每一个具有大于所述第一宽度的第二宽度和两倍于所述第一间距的第二间距，所述第二宽度和所述第二间距在所述短轴方向上，其中，所述多个伪有源区中的至少一个限定在所述多个伪有源区中的所述至少一个的侧壁上的多个侧壁凹陷。12.如权利要求11所述的半导体存储器...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴台镇，金圭镇，朴哲权，韩成熙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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