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本公开提供了一种包括铁电层的半导体器件及其制造方法。根据实施例的半导体器件包括：衬底；位线结构和源极线结构，分别在垂直于衬底表面的方向上延伸；半导体层，其设置在平行于衬底表面的平面上在位线结构与源极线结构之间；第一铁电层，其设置在半导体层的...
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