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本发明属于锗单晶生长技术领域，具体公开一种夹渣含杂锗废料除杂方法，包括以下步骤：单晶锗生长废料融化；废料夹渣降温再结晶：锗废料完全融化为熔融态后，调整加热功率使温度下降15℃~50℃，使熔体再结晶；腔室流场控制：经过再结晶处理后的锗熔体，控...该专利属于云南中科鑫圆晶体材料有限公司云南鑫耀半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过云南中科鑫圆晶体材料有限公司云南鑫耀半导体材料有限公司授权不得商用。