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本公开涉及半导体结构及其制造方法。一种半导体结构包括：设置在半导体衬底之上的有效沟道层的第一堆叠和有效沟道层的第二堆叠，其中该第二堆叠包括虚设沟道层，并且该第一堆叠没有任何虚设沟道层；与第一堆叠和第二堆叠接合的栅极结构；以及第一S/D特征和...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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