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一种存储器器件结构包括：垂直晶体管，具有在源极和漏极之间的沟道；栅极电极，邻近于沟道，其中栅极电极在与沟道的纵轴正交的第一方向上。栅极电介质层在栅极电极和沟道之间。第一互连的第一端子与源极或漏极耦合，其中第一互连与纵轴共线。存储器器件结构还...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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