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半导体元件及其制备方法技术
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文档序号:33801999
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本公开提供一种具有一共享电极的多个电容器的半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一第一电容器单元、一第二电容器单元以及一连接结构。该第一电容器单元具有一下导电结构以及一共享导电层,该下导电结构朝内位在该基底中,该共享导...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。
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