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本发明涉及功率半导体技术领域，具体提供一种沟槽型SiC JFET器件及其制备方法，其中器件包括：漏极金属层；N+型衬底层，形成在漏极金属上，形成器件的背面漏极欧姆接触；N型缓冲层，形成在N+型衬底层上；N
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该专利属于重庆平创半导体研究院有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆平创半导体研究院有限责任公司授权不得商用。

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