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本公开涉及半导体技术领域，提出一种静电保护电路、静电保护结构、芯片，静电保护电路包括：第一PNP型三极管、第一NPN型三极管、控制电路，第一PNP型三极管的发射极连接第一信号端，基极连接第一节点，集电极连接第二节点，其中，第一信号端连接第一...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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