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本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于解决核心器件与输入/输出器件的器件结构均为环栅晶体管时兼容性差的问题，并提升核心器件的工作性能。所述半导体器件包括：衬底、形成在衬底具有的第一元件区上的第一环栅晶体管、以及形成在...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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