温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请的实施方式提供了一种三维存储器及其制备方法。该三维存储器包括：半导体层；叠层结构，位于半导体层上，多个栅线缝隙结构，贯穿叠层结构；以及多个隔离部，穿过叠层结构的靠近半导体层的一部分，并分别包覆每个栅线缝隙结构的至少一部分。本申请的实施...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。