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本公开涉及电子器件和用于制造电子器件的系统。该电子器件包括：碳化硅SiC的衬底，所述衬底具有沿一方向彼此相对的正侧与背侧；在所述衬底的所述正侧处延伸的SiC的结构层；在所述结构层中延伸的有源区，所述有源区被配置为在所述电子器件的使用期间生成...
该专利属于意法半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体股份有限公司授权不得商用。

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