电子器件和用于制造电子器件的系统技术方案

本公开涉及电子器件和用于制造电子器件的系统。该电子器件包括：碳化硅SiC的衬底，所述衬底具有沿一方向彼此相对的正侧与背侧；在所述衬底的所述正侧处延伸的SiC的结构层；在所述结构层中延伸的有源区，所述有源区被配置为在所述电子器件的使用期间生成或传导电流；在所述结构层上延伸的第一电端子；在所述衬底的所述背侧处的第一金属的化合物的中间层，所述第一金属的所述中间层包括钛层、钼层、钽层、钨层或钴层中的至少一项；和在所述中间层上延伸的第二电端子。由此，提供了改进的电子器件。提供了改进的电子器件。提供了改进的电子器件。

【技术实现步骤摘要】
电子器件和用于制造电子器件的系统


[0001]本公开涉及电子器件和用于制造电子器件的系统。

技术介绍

[0002]已知半导体材料因其具有宽带隙，特别是具有大于1.1eV的带隙能量值Eg、低导通电阻(RON)、高热导率值、高工作频率和高电荷载流子饱和速度，可作为理想材料来用于生产电子组件(例如，二极管或晶体管)，特别是用于功率应用。具有上述特性且可设计应用于制造电子组件的材料为碳化硅(SiC)。特别地，就先前列出的特性而言，在其不同多形体(例如3C
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SiC、4H
‑
SiC、6H
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SiC)下的碳化硅比硅优选。
[0003]与在硅衬底上提供的类似器件相比，在硅
‑
碳衬底上提供的电子器件呈现大量优势，诸如传导中的低输出阻抗、低泄漏电流、高工作温度和高工作频率。特别地，SiC肖特基二极管表现出更高的开关性能，从而使SiC电子器件特别有利于高频应用。目前的应用对电学特性以及器件的长期可靠性提出了要求。
[0004]电阻值R
ON
取决于几个因素。例如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子器件，其特征在于，包括：碳化硅SiC的衬底，所述衬底具有沿一方向彼此相对的正侧与背侧；在所述衬底的所述正侧处延伸的SiC的结构层；在所述结构层中延伸的有源区，所述有源区被配置为在所述电子器件的使用期间生成或传导电流；在所述结构层上延伸的第一电端子；在所述衬底的所述背侧处的第一金属的化合物的中间层，所述第一金属的所述中间层包括钛层、钼层、钽层、钨层或钴层中的至少一项；和在所述中间层上延伸的第二电端子。2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述中间层包括钛层并且所述第一金属的所述化合物的所述中间层包括Ti
x
C
y
层、Ti
x
Si
y
层和Ti
x
Si
y
C
z
层。3.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述衬底具有等于或小于180μm的厚度。4.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述衬底为以下中的一项：4H
‑
SiC衬底、6H
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SiC衬底、3C
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SiC衬底、15R
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SiC衬底。5.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述电子器件为以下中的一项：合并式PN肖特基二极管、肖特基二极管、JBS二极管、MOSFET、IGBT、JFET或DMOS。6.根据权利要求5所述的电子器件，其特征在于，所述电子器件为合并式PN肖特基MPS二极管，并且其中：所述结构层为具有第一导电性的所述MPS二极管的漂移层；所述有源区包括掺杂区，所述掺杂区具有与所述第一导电性相...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：