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本发明提供一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室及抽真空装置，工艺腔室包括发生腔、加工腔、第一通道以及分流通道，发生腔用于生成等离子体，加工腔用于进行晶圆的刻蚀工艺，第一通道的两端分别与发生腔和加工腔连通，加工腔位于第一通道的旁侧，分流通道的两...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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