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本发明公开了一种碳化硅单晶衬底，包括第一表面和第二表面，所述第一表面包括钉扎区和制件区，所述钉扎区为人工设置的势阱，以将所述钉扎区周围区域的位错集中于所述钉扎区，所述第一表面上设置多个所述钉扎区；所述制件区用于制作半导体器件，所述制件区周围...该专利属于新疆天科合达蓝光半导体有限公司江苏天科合达半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新疆天科合达蓝光半导体有限公司江苏天科合达半导体有限公司授权不得商用。