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碳化硅半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
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文档序号:33725411
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具备电场缓和层(3),该电场缓和层(3)包括第2导电型的第1区域(3a)和第2导电型的第2区域(3b),上述第1区域(3a)形成在比沟槽(7)深的位置,上述第2区域(3b)以与沟槽的长度方向相同的方向作为长度方向并在多个沟槽之间分别与沟槽的...
该专利属于株式会社电装所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社电装授权不得商用。
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