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碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法制造方法及图纸
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文档序号:33725138
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碳化硅半导体装置具有碳化硅基板、第一电极及第二电极。碳化硅基板具有第一主面、第二主面、第一杂质区域、第二杂质区域及第三杂质区域。第一电极在第一主面处与第二杂质区域及第三杂质区域的各自相接。第二电极在第二主面处与第一杂质区域相接。第二杂质区域...
该专利属于住友电气工业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。
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