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提供一种半导体装置。选择性钌和选择性氧化钌可用于单镶嵌制程及/或双镶嵌制程，以形成电子装置的BEOL(back end of line)金属化层和导孔。可形成选择性钌衬层，以实现BEOL金属化层和导孔的低接触电阻和低片电阻，提升BEOL金属...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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