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本发明涉及使用多种前驱物气体的等离子体浸渍离子植入方法，特別是出于相对于在植入过程中也植入工件内的其它原子物种，控制植入所述工件内的特定原子掺杂剂物种的量的目的。所述工件内的特定原子掺杂剂物种的量的目的。所述工件内的特定原子掺杂剂物种的量的...
该专利属于恩特格里斯公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩特格里斯公司授权不得商用。

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