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本发明涉及一种半导体器件的制备方法及屏蔽栅沟槽器件，所述方法包括：获取开设有沟槽的衬底，沟槽内壁形成有第一介质层，所述沟槽内未形成所述第一介质层的空间形成有多晶硅结构，所述多晶硅结构的顶部低于所述衬底的表面；湿法刻蚀去除所述第一介质层高于所...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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