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本发明公开了一种提高HepG2细胞克隆形成率的单克隆增强培养基和方法，涉及HepG2细胞克隆技术领域。单克隆增强培养基的组分包括RPMI
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该专利属于广州源井生物科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州源井生物科技有限公司授权不得商用。

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