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本发明涉及一种三维存储器及其制作方法、存储系统及电子设备，包括：在基底上依次形成停止层和叠层结构；形成沟道孔，沟道孔贯穿叠层结构和停止层，并延伸至基底内；缩小沟道孔贯穿停止层的第一孔段的孔径；在孔径缩小后的沟道孔中形成沟道结构，从而在去除沟...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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