温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

公开了一种半导体器件及其制造方法。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；沟道部，包括：第一部分，包括相对于衬底突出的鳍状结构；第二部分，在第一部分上方且与第一部分间隔开，包括一个或多个彼此间隔开的纳米线或纳米片；源/漏部，设于沟道部在第一方...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。