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本公开涉及半导体器件及其制造方法。在一个实施例中,一种器件包括:第一沟道区域;第二沟道区域;以及包围所述第一沟道区域和所述第二沟道区域的栅极结构,所述栅极结构包括:栅极电介质层;位于所述栅极电介质层上的第一p型功函数金属,所述第一p型功函数...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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本公开涉及半导体器件及其制造方法。在一个实施例中,一种器件包括:第一沟道区域;第二沟道区域;以及包围所述第一沟道区域和所述第二沟道区域的栅极结构,所述栅极结构包括:栅极电介质层;位于所述栅极电介质层上的第一p型功函数金属,所述第一p型功函数...