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本申请提供了一种半导体器件、其制作方法以及三维存储器，半导体器件包括衬底、堆叠结构以及介质层，堆叠结构位于衬底上，堆叠结构包括沿远离衬底的方向交替叠置的绝缘介质层以及金属层，堆叠结构的一端具有台阶区域，台阶区域包括多个台阶，介质层覆盖在堆叠...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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