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本申请提供了一种半导体器件的制作方法、半导体器件以及三维存储器，该方法包括：在衬底上依次形成叠置的堆叠结构以及第一介质层，堆叠结构包括本体结构以及位于本体结构中的刻蚀停止部，本体结构包括沿远离衬底的方向交替叠置的第一绝缘层以及牺牲层；去除部...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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