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本发明提供一种堆叠纳米片环栅CMOS器件及其制备方法，CMOS器件包括：衬底，形成于衬底NMOS区域上方的第一NMOS和第二NMOS，第一NMOS的纳米片阵列中每个纳米片沟道由内到外依次环绕有第一高k介质层、NMOS功函数层和导电金属层，第...
该专利属于北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司授权不得商用。

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