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本申请提供了一种三维存储器及其制备方法，该制备方法包括：在衬底上形成叠层结构；形成贯穿所述叠层结构并延伸至所述衬底中的沟道孔；在所述沟道孔的内壁上依次形成功能层、沟道层、第一绝缘层和导电层以形成沟道结构，其中所述第一绝缘层将所述导电层和所述...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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