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本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器，涉及半导体芯片技术领域，以降低栅线层被刻蚀掉而出现高阻或断路的风险。该半导体结构的制备方法包括：制备中间半导体结构；经由栅线缝隙，去除牺牲层，形成第一栅线空腔；形成覆盖第一栅线空腔的内壁的...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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