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本发明公开了一种用于3D存储器的金属互连层及其制造方法，所述3D存储器包括基底，所述制造方法包括：在所述基底上形成间隔排列的多个金属连线，相邻的金属连线间形成第一沟道；沉积第一介质层，以在所述第一沟道内形成不完全封闭的气隙；采用等离子轰击使...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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