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本申请提供一种半导体器件的制作方法、半导体器件及存储器系统，该制作方法包括：在衬底上形成介质层和多个间隔设置的第一浅隔离槽，衬底包括第一区域和第二区域，介质层填充第一浅隔离槽，第一浅隔离槽位于第一区域中，相邻两个第一浅隔离槽之间的衬底形成鳍...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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