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本申请公开了一种半导体结构的形成方法、半导体结构、存储器和电子设备，所述方法包括：提供基底结构；所述基底结构包括衬底和位于所述衬底上的堆叠结构；所述堆叠结构包括多级台阶，每级台阶包括第一绝缘层和第一牺牲层；形成覆盖所述台阶顶面和所述第一牺牲...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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