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提出了一种产生具有沟槽的半导体本体的方法。半导体本体(10)包括基板(16)。该方法包括使用蚀刻掩模(38)将沟槽(11)蚀刻到基板(16)中的步骤。通过基板(16)的氧化至少在沟槽(11)的侧壁(14)上形成氧化物层(12)。钝化层(13...
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