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半导体装置及该半导体装置的制造方法制造方法及图纸
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文档序号:33626579
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本申请涉及半导体装置及该半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括单元层叠结构,该单元层叠结构包括交替层叠的第一单元层叠层和层叠导电层。半导体装置还包括虚设层叠结构,该虚设层叠结构包括交替层叠的第一虚设层叠层和第二虚设层叠层。半导体装置还包括...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。
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