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本实用新型提供一种基片处理装置，使在基片形成的孔的在深度方向上的蚀刻量的均匀性提高。本实用新型的一个方式的基片处理装置包括处理槽、外槽、第一气体供给部和第二气体供给部。处理槽将基片浸渍于处理液中。外槽包围处理槽的周围，接受从处理槽溢出的处理...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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