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本公开涉及一种半导体装置与其制备方法。该半导体装置包括设置于一半导体基底之上的一第一介电层，及设置于该第一介电层之上的一第一电极。该半导体装置亦包括设置于该第一电极之上的一熔丝链，及设置于该熔丝链之上的一第二电极。该半导体装置还包括相邻设置...
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