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为了提供以高精度检测处理对象的膜的蚀刻量并提高处理的成品率的等离子处理装置或者等离子处理方法，具备如下工序：使用在从形成等离子起到所述蚀刻结束为止的多个时刻检测出表示在晶片表面反射而形成的多个波长的干涉光的强度的信号的结果，来检测所述处理对...
该专利属于株式会社日立高新技术所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立高新技术授权不得商用。

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