等离子处理装置以及等离子处理方法制造方法及图纸

为了提供以高精度检测处理对象的膜的蚀刻量并提高处理的成品率的等离子处理装置或者等离子处理方法，具备如下工序：使用在从形成等离子起到所述蚀刻结束为止的多个时刻检测出表示在晶片表面反射而形成的多个波长的干涉光的强度的信号的结果，来检测所述处理对象的膜层的厚度或者蚀刻的深度，使用在该工序的刚形成所述等离子之后的初始的期间中得到的多个波长的干涉光的强度的变化的量，来检测所述处理对象的膜层的蚀刻处理开始的时刻，根据比较表示该开始的时刻以后的所述处理中的任意时刻的所述多个波长的干涉光的强度的实际数据和预先得到的与多个所述膜厚或者蚀刻深度的值对应的所述多个波长的干涉光的强度的检测用的多个数据的结果，来检测所述任意时刻的所述剩余膜厚或者蚀刻量。刻的所述剩余膜厚或者蚀刻量。刻的所述剩余膜厚或者蚀刻量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子处理装置以及等离子处理方法


[0001]本专利技术涉及等离子处理装置或者等离子处理方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件的制造中，在晶片的表面上形成有各种零件、将它们相互连接的布线等。这些零件、布线能够通过重复导体、半导体、绝缘体等各种材料的成膜和不需要的部分的去除来形成。
[0003]作为不需要的部分的去除工艺，广泛使用利用了等离子的干式蚀刻(以下称为等离子蚀刻)。在等离子蚀刻中，通过高频电源等将导入到蚀刻装置的处理室内的气体等离子化，将晶片暴露在等离子化后的气体中，由此进行蚀刻处理。此时，通过基于等离子中的离子的溅射、基于自由基的化学反应等进行各向异性、各向同性的蚀刻，通过分开使用这些，在晶片表面上形成有各种构造的零件、布线。
[0004]在通过这样的蚀刻处理而得到的加工形状与设计形状不同的情况下，所制造的半导体无法发挥所希望的性能，因此为了使加工形状接近设计形状，需要对蚀刻处理进行监视、使其稳定化的工艺监视技术。
[0005]特别是，半导体器件近年来随着微细化的发展，微细化工艺增加，随之半导体器件的图案形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种等离子处理方法，在真空容器内部的处理室内配置处理对象的晶片，在所述处理室内形成等离子来对预先形成于所述晶片的表面的膜进行蚀刻，其特征在于，具有如下工序：在所述处理室内载置晶片，在从形成所述等离子起到所述蚀刻结束为止的多个时刻接受在所述晶片的表面反射的干涉光，并生成表示所述干涉光的强度的信号；对蚀刻前后的所述晶片的膜厚进行测定；基于所生成的所述信号来决定所述晶片中的蚀刻开始时刻；以及基于所决定的所述蚀刻开始时刻来导出所述信号与所述膜厚的对应关系。2.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其中，表示所述干涉光的强度的信号包括光谱的波形，通过对多个时刻的所述光谱的波形进行处理，来决定所述蚀刻开始时刻。3.根据权利要求2所述的等离子处理方法，其中，分别计算相邻的时刻的所述光谱的波形之差，将所述差的和成为给定的阈值以上的时刻决定为所述蚀刻开始时刻。4.根据权利要求2所述的等离子处理方法，其中，分别计算相邻的时刻的所述光谱的波形之差，基于所述差的和的相对于时间的变化率的平均值，来决定所述蚀刻开始时刻。5.根据权利要求2所述的等离子处理方法，其中，分别计算相邻的时刻的所述光谱的波形之差，在用曲线近似所述差的和的相对于时间的变化率时，在所述曲线上，第一拐点和第二拐点以该顺序的时间序列存在，将所述第一拐点的时刻决定为所述蚀刻开始时刻，将从所述第一拐点到所述第二拐点的时间作为第一处理区间，将所述第二拐点以后的时间作为蚀刻速度比所述第一处理区间大的第二处理区间。6.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其中，到所决定的所述蚀刻开始时刻为止，视为...

【专利技术属性】
技术研发人员：永泽充，江藤宗一郎，臼井建人，中元茂，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：