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氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。在基板温度为200℃以下成膜为覆盖范围良好的氮化硅膜。氮化硅膜的成膜方法在收纳于处理腔室内的基板上成膜为氮化硅膜，成膜方法具备：工序(a)，在不供给高频电力的状态下向处理腔室内供给包含卤化硅气体的气体；工序(b...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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