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本申请提供一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件包括衬底；半导体层，位于衬底上；源极、漏极和栅极，位于半导体层远离衬底的一侧，栅极位于源极和漏极之间，且与源极和漏极均具有间距；其中，栅极包括栅脚和与栅脚连接的栅板，栅板包括位于源极和栅脚之...
该专利属于苏州能讯高能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州能讯高能半导体有限公司授权不得商用。

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