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本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在改善相邻两个存储层之间相互串扰的现象。所述半导体结构包括存储堆叠结构、沟道结构和多个第二介质层。所述存储堆叠结构包括交替设置的多个第一介质层...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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