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本发明涉及存内计算技术领域，特别是涉及一种基于8T SRAM的多比特权重量化电路，包括矩阵式排列的8T SRAM，各列8T SRAM的读位线共线连接，且各读位线均通过电容连接公共连接端VSS；各8T SRAM均包括6T
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该专利属于中科南京智能技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中科南京智能技术研究院授权不得商用。

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