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本申请提供三维存储器、制备方法以及存储系统。三维存储器包括：第一选择栅结构；存储叠层，设置于第一选择栅结构上；第二选择栅结构，设置于存储叠层上；以及沟道结构，穿过第二选择栅结构、存储叠层和第一选择栅结构，其中沟道结构包括穿过存储叠层的电荷捕...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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