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提供一种混合多堆叠半导体器件及其制造方法。该混合多堆叠半导体器件包括纳米片堆叠和形成在纳米片堆叠之上的鳍式场效应晶体管(finFET)堆叠，其中纳米片堆叠包括形成在衬底之上并被第一栅极结构围绕的多个纳米片层，其中finFET堆叠包括被第二栅...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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